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          英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3_B2

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          產(chǎn)品價格: 9999/人民幣 
          最后更新: 2024-12-04 13:54:22
          產(chǎn)品產(chǎn)地: 德國
          發(fā)貨地: 北京 (發(fā)貨期:當天內發(fā)貨)
          供應數(shù)量: 不限
          有效期: 長期有效
          最少起訂: 1
          瀏覽次數(shù): 113
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        2. 公司基本資料信息
          • 北京京誠宏泰科技有限公司
          • 周先生先生 經(jīng)理
          • 會員[家家通會員產(chǎn)品]
          • 郵件908429905@qq.com
          • 手機18612084398
          • 電話
          • 傳真
          • 地址北京市朝陽區(qū)新華陽光大廈11層
          • 進入商鋪
           
          產(chǎn)品詳細說明

          英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3_B2

          北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3_B2

          產(chǎn)品詳細信息
          Infineon FZ1500R33HL3_S2單開關 IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板,用于提高熱循環(huán)能力。
          VCES 為 3300 V
          IC 標稱值為 1500 A
          ICRM 為 3000 A
          它可保持高電流密度

          DZ3600S17K3B2NOSA1
          FD1200R17KE3KB2NOSA1
          FD600R12KF4NOSA1
          FD800R17KE3B2NOSA1
          FD800R17KF6CB2NOSA1
          FF1200R17KE3B2NOSA1
          FF600R12KE3NOSA1
          FF600R17KE3NOSA1
          FF600R17KF6CB2NOSA1
          FF800R12KL4CNOSA1
          FF800R17KE3B2NOSA1
          FZ1000R12KF5NOSA1
          FZ1000R12KF5NDSA1
          FZ1200R12KF4NOSA1
          FZ1200R12KF5NOSA1

          FZ1200R12KF5
          FZ1200R12KL4C
          FZ1200R17KE3_B2
          FZ1200R17KF6C_B2
          FZ1600R12KL4C
          FZ1600R17KE3_B2
          FZ1800R17KE3_B2
          FZ2400R17KE3
          FZ2400R17KF6C_B2_S1
          FZ2400R17KF6C_B2_S1
          FZ3600R17KE3_B2

          產(chǎn)品特征描述:

          1. 提高工作溫度Tvj op
          2. 低開關損耗
          3. 低 VCEsat
          4. Tvj op = 150°C
          5. 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
          6. 封裝的 CTI > 400
          7. 高爬電距離和電氣間隙
          8. 銅基板
          9. UL 認證

          產(chǎn)品優(yōu)勢:

          • 高功率密度
          • 標準封裝


          IGBT
          IGBT是什么?
          IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
          IGBT與MOSFET的對比
          MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
          北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3_B2
          優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
          缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
          IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
          北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3_B2
          特點:

          擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。
          IGBT的典型應用
          電動機
          不間斷電源
          太陽能面板安裝
          電焊機
          電源轉換器與反相器
          電感充電器
          電磁爐

          北京京誠宏泰科技有限公司銷售西門子SIEMENS

          6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅動板
          中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開關、風機及其他系列;GH180羅賓康A1A/ASE((電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器)等
          變頻器等備件 北京京誠宏泰科技有限公司
          產(chǎn)品備件;
          6SE70變頻器:6SE70驅動/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
          SIEMENS 北京京誠宏泰科技有限公司
          M440/M430變頻器及備件;
          低壓傳動
          S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
          工業(yè)通訊及 北京京誠宏泰科技有限公司
          A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
          分析儀 北京京誠宏泰科技有限公司
          電源產(chǎn)品
          6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
          低壓電器
          3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
          6BK、6DD、6DL、6DP及西門子各類系統(tǒng)軟件等備件;
          其他類
          ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器(ES2000、ESM2000)、

          3300V IGBT模塊型號:

          FZ1000R33HL3_S2
          FZ1500R33HL3_S2
          FF200R33KF2C
          FZ400R33KF2C
          FZ800R33KF2C
          FZ1200R33KF2C
          IGBT模塊FZ1000R33HL3
          IGBT模塊FZ1000R33HE3
          IGBT模塊FZ1200R33HE3
          IGBT模塊FZ1500R33HE3
          IGBT模塊FZ1500R33HL3
          IGBT模塊FZ1600R33HE4
          IGBT模塊FZ1400R33HE4
          IGBT模塊FZ2400R33HE4
          IGBT模塊FF450R33T3E3
          IGBT模塊FZ825R33HE4D


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